casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SA1162GT1
Número da peça de fabricante | 2SA1162GT1 |
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Número da peça futura | FT-2SA1162GT1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SA1162GT1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-59 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162GT1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SA1162GT1-FT |
NSS30100LT1G
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M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
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EP3C40F484C8N
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EP2C50U484C7
Intel
10M02SCU169C8G
Intel
EP3SE80F1152I3N
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
Intel