casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002
Número da peça de fabricante | 2N7002 |
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Número da peça futura | FT-2N7002 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N7002 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 115mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 200mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 (TO-236AB) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N7002-FT |
SI1431DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1431DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG313N
ON Semiconductor
FDG313N_D87Z
ON Semiconductor
FDG314P
ON Semiconductor
FDG326P
ON Semiconductor
FDG329N
ON Semiconductor
FDG330P
ON Semiconductor
FDG361N
ON Semiconductor
PMG370XN,115
NXP USA Inc.
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel