casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDG314P
Número da peça de fabricante | FDG314P |
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Número da peça futura | FT-FDG314P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDG314P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 650mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 750mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88 (SC-70-6) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG314P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDG314P-FT |
TK6A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A90E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
ZDX130N50
Rohm Semiconductor
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
DMT10H010LCT
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel