casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002K-T1-E3
Número da peça de fabricante | 2N7002K-T1-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-2N7002K-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
2N7002K-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002K-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N7002K-T1-E3-FT |
FDG314P
ON Semiconductor
FDG326P
ON Semiconductor
FDG329N
ON Semiconductor
FDG330P
ON Semiconductor
FDG361N
ON Semiconductor
PMG370XN,115
NXP USA Inc.
PMG45UN,115
NXP USA Inc.
SI1400DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1401EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel