casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002CK,215
Número da peça de fabricante | 2N7002CK,215 |
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Número da peça futura | FT-2N7002CK,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
2N7002CK,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002CK,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N7002CK,215-FT |
PHB101NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB108NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.
PHB119NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
PHB129NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB143NQ04T,118
NXP USA Inc.