casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N6768
Número da peça de fabricante | 2N6768 |
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Número da peça futura | FT-2N6768 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N6768 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 400V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3 |
Pacote / caso | TO-204AE |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6768 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N6768-FT |
STP80NF55
STMicroelectronics
UPA2600T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2630T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2631T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2815T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2816T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2822T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
ZVN4424GQTA
Diodes Incorporated
ZXMN2F30FHQTA
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel