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Diodes Incorporated ZXMN2F30FHQTA

Name: ZXMN2F30FHQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2F30FHQTA
Price: 0.11284 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (154 reviews)

Número da peça MFG: ZXMN2F30FHQTA

Quantidade disponível: 64510 Peças

Preço de referência: USD 0.11284

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fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: ZXMN2F30FHQTA.pdf

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ZXMN2F30FHQTA Especificações

Número da peça de fabricante	ZXMN2F30FHQTA
Número da peça futura	FT-ZXMN2F30FHQTA
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
ZXMN2F30FHQTA Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	452pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.4W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2F30FHQTA Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	ZXMN2F30FHQTA-FT

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