casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / 2N5460_D27Z
Número da peça de fabricante | 2N5460_D27Z |
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Número da peça futura | FT-2N5460_D27Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5460_D27Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 40V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 750mV @ 1µA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Resistência - RDS (On) | - |
Potência - Max | 350mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5460_D27Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5460_D27Z-FT |
J106
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J111
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2N5461
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XC6SLX75-L1FGG676C
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XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
M2GL090-FG484
Microsemi Corporation
AT6005-4AI
Microchip Technology
5SGXEA5N2F40I3N
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5SGXEA7K3F35I4N
Intel
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180DF29C2X
Intel
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP1S30F1020I6N
Intel