casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N5416
Número da peça de fabricante | 2N5416 |
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Número da peça futura | FT-2N5416 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5416 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 300V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | 15MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5416 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5416-FT |
JANTXV2N3506
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3715
Microsemi Corporation
JANTXV2N3766
Microsemi Corporation
JANTXV2N3867S
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel