casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTXV2N3766
Número da peça de fabricante | JANTXV2N3766 |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N3766 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/518 |
JANTXV2N3766 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 4A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
Potência - Max | 25W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-66 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3766 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N3766-FT |
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
Microsemi Corporation
JAN2N5237S
Microsemi Corporation
JAN2N5238S
Microsemi Corporation
JAN2N5339
Microsemi Corporation
JAN2N5415S
Microsemi Corporation
JAN2N5664
Microsemi Corporation
JAN2N5665
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel