Número da peça de fabricante | 2KBP06M |
---|---|
Número da peça futura | FT-2KBP06M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2KBP06M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3.14A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | KBPM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2KBP06M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2KBP06M-FT |
GHXS045A120S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D1
Global Power Technologies Group
W01M
GeneSiC Semiconductor
W02M
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-100
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-120
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-140
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-160
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-40
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-60
GeneSiC Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel