casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GHXS010A060S-D1
Número da peça de fabricante | GHXS010A060S-D1 |
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Número da peça futura | FT-GHXS010A060S-D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GHXS010A060S-D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Silicon Carbide Schottky |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS010A060S-D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GHXS010A060S-D1-FT |
VBO72-14NO7
IXYS
VUO82-16NO7
IXYS
VUO55-12NO7
IXYS
VUO50-16NO3
IXYS
VUO50-12NO3
IXYS
VUO35-18NO7
IXYS
VUO22-08NO1
IXYS
VUO22-12NO1
IXYS
VUO22-14NO1
IXYS
VUO22-16NO1
IXYS
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel