Número da peça de fabricante | 1N6663 |
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Número da peça futura | FT-1N6663 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
1N6663 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6663 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6663-FT |
JAN1N5553US
Microsemi Corporation
JAN1N5554
Microsemi Corporation
JAN1N5615
Microsemi Corporation
JAN1N5616US
Microsemi Corporation
JAN1N5617US
Microsemi Corporation
JAN1N5618
Microsemi Corporation
JAN1N5619US
Microsemi Corporation
JAN1N5620US
Microsemi Corporation
JAN1N5621
Microsemi Corporation
JAN1N5622US
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel