casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N6622US
Número da peça de fabricante | 1N6622US |
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Número da peça futura | FT-1N6622US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6622US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | A-MELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6622US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6622US-FT |
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UES1305SM
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel