casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS3H9HE3_B/I
Número da peça de fabricante | SS3H9HE3_B/I |
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Número da peça futura | FT-SS3H9HE3_B/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
SS3H9HE3_B/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20µA @ 90V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H9HE3_B/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS3H9HE3_B/I-FT |
DZ540N20KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N22KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N12KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N14KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N16KHPSA1
Infineon Technologies
ES1JF R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GATELEAD1110008XPSA1
Infineon Technologies
GP2D005A065A
Global Power Technologies Group
GP2D005A065C
Global Power Technologies Group
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel