casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS3H9HE3_B/I
Número da peça de fabricante | SS3H9HE3_B/I |
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Número da peça futura | FT-SS3H9HE3_B/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
SS3H9HE3_B/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20µA @ 90V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H9HE3_B/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS3H9HE3_B/I-FT |
DZ540N20KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N22KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N12KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N14KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N16KHPSA1
Infineon Technologies
ES1JF R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GATELEAD1110008XPSA1
Infineon Technologies
GP2D005A065A
Global Power Technologies Group
GP2D005A065C
Global Power Technologies Group
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel