casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N645-1E3
Número da peça de fabricante | 1N645-1E3 |
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Número da peça futura | FT-1N645-1E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N645-1E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
Atual - Média Retificada (Io) | 400mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N645-1E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N645-1E3-FT |
RS2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel