Número da peça de fabricante | 1N5805 |
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Número da peça futura | FT-1N5805 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5805 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 125V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | A, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5805 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5805-FT |
MSC030SDA120K
Microsemi Corporation
APT10SCD65K
Microsemi Corporation
APT15D30KG
Microsemi Corporation
APT15D40KG
Microsemi Corporation
APT15S20KG
Microsemi Corporation
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
JANTX1N5615
Microsemi Corporation
JANS1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5617
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel