casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JANS1N5806
Número da peça de fabricante | JANS1N5806 |
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Número da peça futura | FT-JANS1N5806 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANS1N5806 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | A, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5806 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS1N5806-FT |
1N4150UR-1
Microsemi Corporation
1N5195UR
Microsemi Corporation
1N5196UR
Microsemi Corporation
1N5194UR
Microsemi Corporation
1N647UR-1
Microsemi Corporation
1N649UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N4245
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JAN1N4153-1
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AX250-2FG484
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M2GL025T-1VF400I
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5AGXBA5D4F27C4N
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EP2SGX60EF1152C3N
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LFE2-12SE-7F484C
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP4SGX110FF35C4
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