casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / 1N5711WS-7
Número da peça de fabricante | 1N5711WS-7 |
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Número da peça futura | FT-1N5711WS-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5711WS-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 70V |
Corrente - Max | 15mA |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711WS-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5711WS-7-FT |
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR 63-03W E6433
Infineon Technologies
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4VFX140-10FF1517C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
XC5VFX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
5CEBA2U19C7N
Intel
EPF10K100EBC356-1B
Intel