casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N4006-N-2-4-AP
Número da peça de fabricante | 1N4006-N-2-4-AP |
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Número da peça futura | FT-1N4006-N-2-4-AP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N4006-N-2-4-AP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-41 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4006-N-2-4-AP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N4006-N-2-4-AP-FT |
1N5188US
Microsemi Corporation
1N5553
Microsemi Corporation
1N5552
Microsemi Corporation
1N5419E3
Microsemi Corporation
1N5418US
Microsemi Corporation
1N5418
Microsemi Corporation
1N5417US
Microsemi Corporation
1N5416US
Microsemi Corporation
1N5331
Microsemi Corporation
1N4608
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel