Número da peça de fabricante | 1N5553 |
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Número da peça futura | FT-1N5553 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5553 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | B, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5553 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5553-FT |
DSB5822
Microsemi Corporation
MS104/TR12
Microsemi Corporation
MS104/TR8
Microsemi Corporation
MS104E3/TR12
Microsemi Corporation
MS104E3/TR8
Microsemi Corporation
MS105/TR12
Microsemi Corporation
MS105/TR8
Microsemi Corporation
MS105E3/TR12
Microsemi Corporation
MS105E3/TR8
Microsemi Corporation
MS106/TR12
Microsemi Corporation
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
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