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Número da peça de fabricante | 1110-1R2M-RC |
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Número da peça futura | FT-1110-1R2M-RC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1110 |
1110-1R2M-RC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 9A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-1R2M-RC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1110-1R2M-RC-FT |
1130-221K
Bourns Inc.
1130-222K
Bourns Inc.
1130-270K
Bourns Inc.
1130-271K
Bourns Inc.
1130-272K
Bourns Inc.
1130-2R2M
Bourns Inc.
1130-2R2M-RC
Bourns Inc.
1130-2R7M
Bourns Inc.
1130-330K
Bourns Inc.
1130-331K
Bourns Inc.
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel