casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / 1130-2R2M
Número da peça de fabricante | 1130-2R2M |
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Número da peça futura | FT-1130-2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1130 |
1130-2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 21A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1130-2R2M-FT |
1140-1R8M
Bourns Inc.
1140-220K
Bourns Inc.
1140-221K
Bourns Inc.
1140-222K
Bourns Inc.
1140-270K
Bourns Inc.
1140-271K
Bourns Inc.
1140-271K-1-RC
Bourns Inc.
1140-272K
Bourns Inc.
1140-2R2M
Bourns Inc.
1140-2R7M
Bourns Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel