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Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA

Name: ZXMN6A09DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09DN8TA
Price: 1.02 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (595 reviews)

Número da peça MFG: ZXMN6A09DN8TA

Quantidade disponível: 22470 Peças

Preço de referência: USD 1.02

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: - MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: ZXMN6A09DN8TA.pdf

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ZXMN6A09DN8TA Especificações

Número da peça de fabricante	ZXMN6A09DN8TA
Número da peça futura	FT-ZXMN6A09DN8TA
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
ZXMN6A09DN8TA Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1407pF @ 40V
Potência - Max	1.25W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A09DN8TA Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	ZXMN6A09DN8TA-FT

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