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Diodes Incorporated ZXMN6A08E6QTA

Name: ZXMN6A08E6QTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A08E6QTA
Price: 0.33028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (668 reviews)

Número da peça MFG: ZXMN6A08E6QTA

Quantidade disponível: 27020 Peças

Preço de referência: USD 0.33028

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: ZXMN6A08E6QTA.pdf

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ZXMN6A08E6QTA Especificações

Número da peça de fabricante	ZXMN6A08E6QTA
Número da peça futura	FT-ZXMN6A08E6QTA
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
ZXMN6A08E6QTA Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	459pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-26
Pacote / caso	SOT-23-6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A08E6QTA Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	ZXMN6A08E6QTA-FT

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