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ZXMN10A11K Image

Diodes Incorporated ZXMN10A11K

Número da peça MFG
ZXMN10A11K
Quantidade disponível
23310 Peças
Preço de referência
USD 0.4
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Data de envio
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fabricante
Diodes Incorporated
Descrição breve
- MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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ZXMN10A11K Especificações

Número da peça de fabricante ZXMN10A11K
Número da peça futura FT-ZXMN10A11K
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
ZXMN10A11K Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 274pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.11W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-252-3
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A11K Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição ZXMN10A11K-FT

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