casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZDS020N60TB
Número da peça de fabricante | ZDS020N60TB |
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Número da peça futura | FT-ZDS020N60TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ZDS020N60TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 630mA (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZDS020N60TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ZDS020N60TB-FT |
SI4642DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4646DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4646DY-T1-GE3
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