casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / YBS2206G RAG
Número da peça de fabricante | YBS2206G RAG |
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Número da peça futura | FT-YBS2206G RAG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
YBS2206G RAG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 2.2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | YBS |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
YBS2206G RAG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | YBS2206G RAG-FT |
3N248-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N250-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N250-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N250-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N250-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N251-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel