casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / Y117219R9200C0R
Número da peça de fabricante | Y117219R9200C0R |
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Número da peça futura | FT-Y117219R9200C0R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | VSM |
Y117219R9200C0R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 19.92 Ohms |
Tolerância | ±0.25% |
Potência (Watts) | 0.1W, 1/10W |
Composição | Metal Foil |
Características | Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±2ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 |
Tamanho / dimensão | 0.080" L x 0.050" W (2.03mm x 1.27mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.025" (0.64mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Y117219R9200C0R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | Y117219R9200C0R-FT |
RUK2012FR025CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012FR027CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012FR030CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR010CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR011CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR012CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR013CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR015CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR016CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK2012JR018CS
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQ100C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQ240M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
AX500-1FG676
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel