casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / XN09D6100L
Número da peça de fabricante | XN09D6100L |
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Número da peça futura | FT-XN09D6100L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
XN09D6100L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP + Diode (Isolated) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 15mA, 750mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 600mW |
Freqüência - Transição | 270MHz |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MINI6-G1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN09D6100L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | XN09D6100L-FT |
2SC4793,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4793,YHF(J
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EP3SE50F484C2
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5AGXMB3G6F35C6N
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