casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / XBS306S17R-G
Número da peça de fabricante | XBS306S17R-G |
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Número da peça futura | FT-XBS306S17R-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
XBS306S17R-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 55ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | 195pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS306S17R-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | XBS306S17R-G-FT |
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel