casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / XBS306S17R-G
Número da peça de fabricante | XBS306S17R-G |
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Número da peça futura | FT-XBS306S17R-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
XBS306S17R-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 55ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | 195pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS306S17R-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | XBS306S17R-G-FT |
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel