casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / XBP06V4E4GR-G
Número da peça de fabricante | XBP06V4E4GR-G |
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Número da peça futura | FT-XBP06V4E4GR-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
XBP06V4E4GR-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 4 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5V |
Tensão - Breakdown (Min) | 6.4V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | 70W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | 40pF @ 1MHz |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 4-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-USP (1.2x1.6) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBP06V4E4GR-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | XBP06V4E4GR-G-FT |
DF2S6.2FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8MFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S10FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SMP3022-01ETGTR
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DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A42MX36-BG272I
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LFE2-12E-6QN208I
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5CEBA9F27C8N
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5SGSMD6K3F40I3LN
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5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
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XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation