casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / XBP06V4E2HR-G
Número da peça de fabricante | XBP06V4E2HR-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-XBP06V4E2HR-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
XBP06V4E2HR-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 2 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5V |
Tensão - Breakdown (Min) | 6.4V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | 70W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | 40pF @ 1MHz |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2-SFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-USP (1.2x1.2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBP06V4E2HR-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | XBP06V4E2HR-G-FT |
DF2S6.8MFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S10FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SMP3022-01ETGTR
SMC Diode Solutions
DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel