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Número da peça de fabricante | WSBS5216L1000JT |
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Número da peça futura | FT-WSBS5216L1000JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Power Metal Strip® |
WSBS5216L1000JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Shunt, Battery |
Aplicações | Automotive AEC-Q200 |
Composição | Metal Element |
Resistência | 100 µOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 12W |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de operação | -65°C ~ 170°C |
Tipo de montagem | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS5216L1000JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WSBS5216L1000JT-FT |
ERA-S33J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J100V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J120V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J150V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J180V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J220V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J221V
Panasonic Electronic Components
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C1N
Intel
5SGXEA4H3F35C2LN
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020C5N
Intel