casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / WNE1R0FET
Número da peça de fabricante | WNE1R0FET |
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Número da peça futura | FT-WNE1R0FET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | WN |
WNE1R0FET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 5W |
Composição | Wirewound |
Características | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.295" Dia x 0.787" L (7.50mm x 20.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNE1R0FET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WNE1R0FET-FT |
ERD-S1TJ204V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ203V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ202V
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ERD-S1TJ201V
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ERD-S1TJ1R6V
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ERD-S1TJ1R5V
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ERD-S1TJ1R3V
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ERD-S1TJ1R2V
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LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
10AX022C3U19I2LG
Intel
5SGXEA3K3F35C2LN
Intel
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780I7
Intel
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel