casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / WNE10RFET
Número da peça de fabricante | WNE10RFET |
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Número da peça futura | FT-WNE10RFET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | WN |
WNE10RFET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 5W |
Composição | Wirewound |
Características | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.295" Dia x 0.787" L (7.50mm x 20.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNE10RFET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WNE10RFET-FT |
ERD-S1TJ220V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ205V
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A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
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EP2AGX65DF29C6N
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5CEBA4U15C8N
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