casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / WND1R0FET
Número da peça de fabricante | WND1R0FET |
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Número da peça futura | FT-WND1R0FET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | WN |
WND1R0FET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Wirewound |
Características | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND1R0FET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WND1R0FET-FT |
ERD-S1TJ180V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
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A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8LN
Intel
XC4VLX80-12FF1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84M
Microsemi Corporation
10AX066K4F40I3LG
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5AGXFB3H4F35I5N
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EP2S130F780C4
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