casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / WND100FET
Número da peça de fabricante | WND100FET |
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Número da peça futura | FT-WND100FET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | WN |
WND100FET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Wirewound |
Características | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±20ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND100FET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WND100FET-FT |
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ152V
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A1010B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG456I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1CPGA196I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45I1SG
Intel
EP3C40F780C8
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EP1C20F324C7N
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