casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / WNA10RFET
Número da peça de fabricante | WNA10RFET |
---|---|
Número da peça futura | FT-WNA10RFET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | WN |
WNA10RFET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Wirewound |
Características | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.100" Dia x 0.200" L (2.54mm x 5.08mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNA10RFET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WNA10RFET-FT |
ERO-S2PHF1271
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF1211
Panasonic Electronic Components
WHCR75FET
Ohmite
WNCR75FET
Ohmite
WNCR50FET
Ohmite
WHCR50FET
Ohmite
WHCR25FET
Ohmite
WHCR10FET
Ohmite
WNC75RFET
Ohmite
WHC75RFET
Ohmite
LCMXO640E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
5SGXEABK2H40C3N
Intel
XC5VLX330-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP20K1000CB652C9ES
Intel
EPF10K30RI240-4
Intel