casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W987D6HBGX7E
Número da peça de fabricante | W987D6HBGX7E |
---|---|
Número da peça futura | FT-W987D6HBGX7E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W987D6HBGX7E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 128Mb (8M x 16) |
Freqüência do relógio | 133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-VFBGA (8x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D6HBGX7E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W987D6HBGX7E-FT |
W632GG8MB-15
Winbond Electronics
W632GG8MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB12I
Winbond Electronics
W632GG8MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG8MB15I
Winbond Electronics
W632GG8MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU8KT-12
Winbond Electronics
W632GU8MB-11
Winbond Electronics
W632GU8MB-12
Winbond Electronics
W632GU8MB-12 TR
Winbond Electronics
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel