casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W987D6HBGX6E TR
Número da peça de fabricante | W987D6HBGX6E TR |
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Número da peça futura | FT-W987D6HBGX6E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W987D6HBGX6E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 128Mb (8M x 16) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-VFBGA (8x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D6HBGX6E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W987D6HBGX6E TR-FT |
W632GG8MB-11
Winbond Electronics
W632GG8MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB-15
Winbond Electronics
W632GG8MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB12I
Winbond Electronics
W632GG8MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG8MB15I
Winbond Electronics
W632GG8MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU8KT-12
Winbond Electronics
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel