casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W987D2HBJX6I TR
Número da peça de fabricante | W987D2HBJX6I TR |
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Número da peça futura | FT-W987D2HBJX6I TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W987D2HBJX6I TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 128Mb (4M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX6I TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W987D2HBJX6I TR-FT |
W972GG6JB-3I
Winbond Electronics
W972GG6JB-3I TR
Winbond Electronics
W972GG6JB25I
Winbond Electronics
W972GG6JB25I TR
Winbond Electronics
W9412G6KH-5
Winbond Electronics
W9425G6KH-5
Winbond Electronics
W9464G6KH-5
Winbond Electronics
W9412G6IH-5
Winbond Electronics
W9412G6JH-4
Winbond Electronics
W9412G6JH-5I
Winbond Electronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel