casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W987D2HBJX6E
Número da peça de fabricante | W987D2HBJX6E |
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Número da peça futura | FT-W987D2HBJX6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W987D2HBJX6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 128Mb (4M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W987D2HBJX6E-FT |
W972GG6JB-25 TR
Winbond Electronics
W972GG6JB-3
Winbond Electronics
W972GG6JB-3 TR
Winbond Electronics
W972GG6JB-3I
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W972GG6JB-3I TR
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W972GG6JB25I
Winbond Electronics
W972GG6JB25I TR
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W9412G6KH-5
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W9425G6KH-5
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W9464G6KH-5
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel