casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W987D2HBJX6E
Número da peça de fabricante | W987D2HBJX6E |
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Número da peça futura | FT-W987D2HBJX6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W987D2HBJX6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 128Mb (4M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W987D2HBJX6E-FT |
W972GG6JB-25 TR
Winbond Electronics
W972GG6JB-3
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W972GG6JB-3 TR
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XC7A50T-2FG484I
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XC4028XL-2BG256I
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LFE2M50E-6F900C
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LCMXO256C-4M100C
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