casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W987D2HBJX6E TR
Número da peça de fabricante | W987D2HBJX6E TR |
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Número da peça futura | FT-W987D2HBJX6E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W987D2HBJX6E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 128Mb (4M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX6E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W987D2HBJX6E TR-FT |
W972GG6JB-3
Winbond Electronics
W972GG6JB-3 TR
Winbond Electronics
W972GG6JB-3I
Winbond Electronics
W972GG6JB-3I TR
Winbond Electronics
W972GG6JB25I
Winbond Electronics
W972GG6JB25I TR
Winbond Electronics
W9412G6KH-5
Winbond Electronics
W9425G6KH-5
Winbond Electronics
W9464G6KH-5
Winbond Electronics
W9412G6IH-5
Winbond Electronics
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel