casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W972GG8JB-18
Número da peça de fabricante | W972GG8JB-18 |
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Número da peça futura | FT-W972GG8JB-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W972GG8JB-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 350ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-WBGA (11x11.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W972GG8JB-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W972GG8JB-18-FT |
W25Q64FVSSJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVSSJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVXGJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVXGJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVZPIF TR
Winbond Electronics
W25Q64FVZPJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVZPJQ TR
Winbond Electronics
W25Q80BWBYIG TR
Winbond Electronics
W25Q80JVSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80JVSVIQ
Winbond Electronics
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel