casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W632GG8MB-09
Número da peça de fabricante | W632GG8MB-09 |
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Número da peça futura | FT-W632GG8MB-09 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W632GG8MB-09 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 1066MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 78-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 78-VFBGA (10.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-09 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W632GG8MB-09-FT |
W9812G6KH-6I
Winbond Electronics
W9812G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6EH-6
Winbond Electronics
W9825G6JH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6JH-6I
Winbond Electronics
W9825G6JH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-5
Winbond Electronics
W9825G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I
Winbond Electronics
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
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5CGXFC4F6M11C7N
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5SGXEB6R3F43C3
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LCMXO1200E-4M132I
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EP20K400EBC652-2X
Intel