casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W632GG8AB-12
Número da peça de fabricante | W632GG8AB-12 |
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Número da peça futura | FT-W632GG8AB-12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W632GG8AB-12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 78-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 78-WBGA (10.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8AB-12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W632GG8AB-12-FT |
W9464G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9464G6KH-5I
Winbond Electronics
W9464G6KH-5I TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6
Winbond Electronics
MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
Winbond Electronics
W9864G6KH-6
Winbond Electronics
W9812G6IH-6
Winbond Electronics
W9812G6JH-5
Winbond Electronics
W9812G6JH-6I
Winbond Electronics
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel