casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W29N02GVBIAF
Número da peça de fabricante | W29N02GVBIAF |
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Número da peça futura | FT-W29N02GVBIAF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W29N02GVBIAF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W29N02GVBIAF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W29N02GVBIAF-FT |
W29GL064CB7A
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W949D2DBJX5I
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W947D2HBJX5I TR
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XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel