casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VUO16012NO7
Número da peça de fabricante | VUO16012NO7 |
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Número da peça futura | FT-VUO16012NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VUO16012NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 175A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 60A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO16012NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VUO16012NO7-FT |
RS505-G
Comchip Technology
RS506-G
Comchip Technology
T483B
Sensata-Crydom
T485F
Sensata-Crydom
T485G
Sensata-Crydom
TS15P05G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P05G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P06G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P06G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P07G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel