casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VUO160-18NO7
Número da peça de fabricante | VUO160-18NO7 |
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Número da peça futura | FT-VUO160-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VUO160-18NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.8kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 175A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 60A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1800V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO160-18NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VUO160-18NO7-FT |
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FBS10-06SC
IXYS
GBO25-12NO1
IXYS
GBO25-16NO1
IXYS
GUO40-16NO1
IXYS
UGB3132AD
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UGB6124AG
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UGD6123AG
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UGD8124AG
IXYS
VBE100-06NO7
IXYS
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
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